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门极可关断晶闸管(gto)的生产始于19世纪80年代中期。gto是晶闸管的其中一种,可以通过门极施加反向电流使其关断。
门极可关断晶闸管(gto)为实现低通态损耗优化设计的。很多应用下,典型的开关频率范围都在200至500赫兹。gto本身特性而言,就是一个相对缓慢的开关。
从开到关及从关到开状态的典型转换次数是10-30微秒。所有gto在开和关时都要求有被称为”缓冲器“ 的保护网。开启缓冲电路,实质是一个感应器,限制了电流上升率。关断缓冲电路,实质是一个电容,限制了电压上升率。
所有abb的gto是压装器件。采用适度高强压,与用于功率终端电联接的散热器压装在一起。
非对称性的gto分为两类:内置缓冲层型和标准配置型。内置缓冲层型gto具有出众的低导通和低动态损耗。其中5sgf精密型针对快速切换优化设计,5sgt透明发射极型针对低导通损耗优化设计。标准配置型gto完美平衡了导通和开关损耗。
型号 | vdrm (v) | vdc (v) | itgqm @ cs (a) | itgqm @ cs (μf) | 包装* (mm) |
标准 | |||||
2500 | 1400 | 1500 | 3 | 75/47 | |
2500 | 1400 | 2000 | 4 | 93/63 | |
2500 | 1400 | 2500 | 6 | 93/63 | |
2500 | 1400 | 3000 | 5 | 108/75 | |
4500 | 2800 | 600 | 1 | 58/34 | |
4500 | 2200 | 2000 | 4 | 93/63 | |
4500 | 2800 | 3000 | 6 | 108/75 | |
4500 | 2800 | 4000 | 6 | 120/85 |
*注解:台面直径/外壳高度
型号 | vdrm (v) | vdc (v) | itgqm @ cs (a) | itgqm @ cs(μf) | 包装* (mm) |
缓冲层 | |||||
4500 | 3000 | 3000 | 3 | 108/75 | |
4500 | 2800 | 4000 | 6 | 120/85 |
*注解:台面直径/外壳高度
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