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9月9日,电力电子元器件领域国内影响力最大的行业展会pcim asia 2021在深圳隆重召开。赛晶科技携自主技术igbt芯片及模块、层叠母排、数字式igbt驱动、固态开关、阻抗测量等产品参展,受到广大与会者的高度关注和热烈反响。
赛晶参展的i20 d20 芯片组,以及ed-type、ev-type模块等igbt系列产品,采用了国际领先的设计理念和制造工艺,各项性能达到和超过国内外同业水平。
i20 芯片组(1200v/250a)
采用正面精细沟槽 背面场截止设计,采用n型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化p 、3d结构等多项行业前沿的设计和工艺,带来了高达250a的卓越性能。
ed-type模块(1200v/750a)
采用优化的直线布局,大幅提升了内部均流表现。结合优异的制造工艺和严选的原材料,带来了超低的损耗性能和国际一流水平的性能和可靠性。
ev-type模块及组件
采用单面冷却设计,实现了极高的电流密度、较低过冲电压、极低的导通压降。优异的sin基板,提供了非常低的热阻和出色的功率循环能力内部热敏电阻完成封装。此外,针对均衡分流的优化,带来了低损耗和高可靠性。
不仅如此,赛晶还带来“数字式igbt驱动器”、“层叠母排”等功率半导体配套器件,以及“阻抗测量”、“固态开关”等国际前沿性电力电子技术产品。
在全球巨头林立的pcim asia 2021,赛晶自主技术igbt芯片和模块等众多产品,凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现,赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。